[发明专利]一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201410449745.6 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN105428306B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 周娜;张宇;蒋中伟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以去除基片上位于通孔底部的阻挡层；其中，刻蚀气体包括氧气和含氟类气体，且氧气的气流量大于含氟类气体的气流量；同时，反应腔室的腔室压力、下电极电源的下电极功率和基片温度的设置方式为：通过降低腔室压力、下电极功率和基片温度，以避免在基片表面上产生裂缝。本发明提供的通孔底部阻挡层的刻蚀方法，可以避免在基片的表面上产生裂缝，因而可以降低了后道工艺沉积金属层后与晶圆直接接触造成短路的风险，从而可以提高良品率和产能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 底部 阻挡 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种通孔底部阻挡层的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：向反应腔室内通入刻蚀气体，并开启上电极电源和下电极电源，以去除基片上位于通孔底部的阻挡层；其中，所述刻蚀气体包括氧气和含氟类气体，且所述氧气的气流量大于所述含氟类气体的气流量；同时，所述反应腔室的腔室压力、所述下电极电源的下电极功率和基片温度设置为：所述腔室压力的范围在8～20Mt，所述基片温度的范围在‑20～10℃，所述下电极功率的范围在10～100W，以避免在基片表面上产生裂缝。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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