[发明专利]电子束斑的测量方法和设备有效
| 申请号： | 201410449770.4 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104267426B | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | 刘鹏;张大成;王玮;田大宇;杨芳;罗葵;戴小涛;李婷;王颖;李静;时广轶 | 申请（专利权）人： | 北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地;北京大学 |
| 主分类号： | G01T1/29 | 分类号： | G01T1/29;G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 214125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出了一种电子束斑的测量方法和设备。所述测量方法包括准备第一基片，在所述第一基片上形成悬置的光刻胶层，并且在第一基片与光刻胶层相对的另一侧上形成检测窗口；准备第二基片，在所述第二基片上形成背腔结构；将第二基片的背腔结构入口一侧与第一基片的光刻胶一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；将待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口，对光刻胶层进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；以及对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径dd＝L·tanθ‑W/cosθ。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 测量方法 设备 | ||
【主权项】：
一种电子束斑的测量方法，包括：在第一基片的A表面上沉积导电薄膜，构成支撑薄膜；在所述第一基片的与所述A表面相对的B表面上形成检测窗口，其中所述检测窗口穿通所述第一基片，到达支撑薄膜背面，所述检测窗口的宽度为W；在支撑薄膜上涂覆光刻胶；在第二基片中形成独立加工的背腔结构，所述背腔结构用于吸收散射的电子；将所述第二基片的背腔结构入口一侧的C表面与第一基片的A表面一侧固定，并且将检测窗口与背腔结构入口对准；使待测电子束以一定的路径角θ单次扫过检测窗口以对光刻胶进行背向曝光，其中所述路径角是电子束扫描方向与检测窗口长度方向的夹角；对光刻胶进行显影，并且测量光刻胶沿电子束扫描方向的图形长度L，利用下式计算电子束束斑直径d：d＝L·tanθ‑W/cosθ。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地;北京大学，未经北京大学软件与微电子学院无锡产学研合作教育基地;北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410449770.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：变压器绝缘端圈与垫块的自动粘接设备
- 下一篇：一种变压器铁芯收紧系统
