[发明专利]一种TSV转接板及其制造工艺有效
| 申请号： | 201410450356.5 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104201166B | 公开（公告）日： | 2017-02-01 |
| 发明（设计）人： | 何洪文;孙鹏;曹立强 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙)32104 | 代理人： | 殷红梅,刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种TSV转接板及其制造工艺，先在基板上进行植球工艺，形成凸点，然后将铜柱嵌入凸点中，形成铜柱凸点结构；利用塑封工艺将铜柱凸点结构进行塑封，利用湿法或干法工艺将铜柱上表面露出来，进行正面RDL层和第一微凸点的制造工艺；将基板材料去除，利用减薄工艺打磨基板背面，直到露处铜柱的下表面为止，做背面RDL层和第二微凸点，完成整个的TSV转接板工艺。该工艺避开了TSV刻蚀、绝缘层沉积、介质层沉积、种子层制备及电镀填充，极大地降低了转接板制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tsv 转接 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种TSV转接板的制造工艺，其特征是，包括以下步骤：（1）在基板（1）的正面植球，得到凸点（2）；（2）将铜柱（3）的一端嵌入凸点（2）中，得到铜柱凸点结构；（3）采用塑封材料将铜柱凸点结构进行塑封，得到塑封层（4）；（4）对塑封层（4）的正面进行减薄，直至露出铜柱（3）的上表面；（5）在塑封层（4）的正面制作正面RDL层（5），正面RDL层（5）的厚度为5～30μm；在正面RDL层（5）上进行植球回流，得到第一微凸点（6）；（6）在塑封层（4）的正面进行灌胶，得到灌胶层（7），灌胶层（7）覆盖RDL层（5）和第一微凸点（6）；（7）在灌胶层（7）的表面进行临时晶圆（10）的键合；（8）对基板（1）的背面进行减薄，将基板（1）和凸点（2）打磨掉，打磨至露出铜柱（3）的下表面；（9）在塑封层（4）的背面制作背面RDL层（8），背面RDL层（8）的厚度为5～30μm；在背面RDL层（8）上进行植球回流，得到第二微凸点（9）；（10）去掉塑封层（4）正面的临时晶圆（10）及胶，完成所述转接板的制造。
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