[发明专利]一种低轨道航天器高压太阳电池阵二次放电防护方法有效
| 申请号： | 201410451763.8 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104244547B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 史亮;李得天;汤道坦;柳青;赵呈选;陈益峰;秦晓刚;杨生胜;高原 | 申请（专利权）人： | 兰州空间技术物理研究所 |
| 主分类号： | H05F1/02 | 分类号： | H05F1/02;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心11120 | 代理人： | 付雷杰,仇蕾安 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低轨道航天器高压太阳电池阵二次放电防护方法，能够避免太阳电池阵表面不均匀带电现象，由此达到对其二次放电的防护；同时，透明导电复合薄膜具有较高的透过率，不影响太阳电池阵发挥其基本功能，并且具有良好的延展性、抗冷热冲击性能和耐辐射性能，使得透明导电复合薄膜具备良好的空间环境适应性，能够满足卫星设计寿命需求；透明导电复合薄膜在太阳电池阵上留有一定的余量，可使其适应低轨道剧烈的冷热交变环境而不发生开裂；在透明导电复合薄膜的安装的边缘留有出气通道，因薄膜与太阳电池阵中残留的空气因真空环境而损坏。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 轨道 航天器 高压 太阳电池 二次 放电 防护 方法 | ||
【主权项】：
一种低轨道航天器高压太阳电池阵二次放电防护方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、制作透明导电复合薄膜，具体为：将透明聚酰亚胺膜(1)作为基底材料，利用等离子体聚合方法在基底材料的一侧表面上制备硅氧烷膜(2)，在所述硅氧烷膜(2)上利用磁控溅射方法制备氧化铟锡膜(3)，形成透明导电复合薄膜；所述透明聚酰亚胺膜(1)的厚度为0.25μm；所述硅氧烷膜(2)的厚度为150nm；所述氧化铟锡膜(3)的厚度为10nm‑20nm；步骤2、将透明导电复合薄膜覆于并固定在太阳电池阵表面上，复合薄膜导电层朝向空间方向且与航天器结构地相连。
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