[发明专利]一种廉价无序宽谱广角减反结构及其制作方法在审
申请号: | 201410452042.9 | 申请日: | 2014-09-05 |
公开(公告)号: | CN105470341A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 张瑞英;王岩岩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0216 |
代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人: | 王锋 |
地址: | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开了一种廉价无序宽谱广角减反结构及其制作方法,其方法包括步骤:s1、在基底材料(或结构)表面沉积介质膜;s2、在所述介质膜表面形成金属胶体薄膜;s3、对所述金属胶体薄膜进行热处理,获得金属纳米结构;s4、以所述金属纳米结构为掩膜对所述介质膜进行刻蚀,形成减反结构;s5、去除金属纳米结构。本发明的介质纳米结构制备方案简单易行、可实现大面积、只需要低温、制备能耗低和效率高。而制备的无序介质纳米结构连同残余金属掩模可获得非常好的宽谱广角减反效果。 | ||
搜索关键词: | 一种 廉价 无序 广角 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种廉价无序宽谱广角减反结构的制作方法,其特征在于,包括步骤:s1、在基底材料表面沉积介质膜;s2、在所述介质膜表面形成金属胶体薄膜;s3、对所述金属胶体薄膜进行热处理,获得金属纳米结构;s4、以所述金属纳米结构为掩膜对所述介质膜进行刻蚀,形成减反结构;s5、去除金属纳米结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的