[发明专利]半导体器件制造方法在审
| 申请号： | 201410452054.1 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN105390433A | 公开（公告）日： | 2016-03-09 |
| 发明（设计）人： | 孟令款 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在包括下层结构的衬底上形成绝缘介质层；步骤2，在绝缘介质层上形成硬掩模层和软掩模图形；步骤3，以软掩模图形为掩模，对硬掩模层执行第一刻蚀以形成硬掩模图形；步骤4，以硬掩模图形为掩模，对绝缘介质层执行第二刻蚀以形成沟槽或接触孔；步骤5，通入氧化性气体，去除开沟槽或接触孔侧壁上的聚合物；步骤6，多次执行步骤4和/或步骤5，直至露出下层结构。依照本发明的半导体器件制造方法，采用主要包括非晶硅的独特硬掩模图形提高了刻蚀绝缘介质的选择性，并且刻蚀绝缘介质之后或者过程中还单独通入氧化性气体去除聚合物，从而获得较高深宽比结构，提高了器件可制造性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件制造方法，包括：步骤1，在包括下层结构的衬底上形成绝缘介质层；步骤2，在绝缘介质层上形成硬掩模层和软掩模图形；步骤3，以软掩模图形为掩模，对硬掩模层执行第一刻蚀以形成硬掩模图形；步骤4，以硬掩模图形为掩模，对绝缘介质层执行第二刻蚀以形成接触孔或沟槽；步骤5，通入氧化性气体，去除接触孔或沟槽侧壁上的聚合物；步骤6，多次执行步骤4和/或步骤5，直至露出下层结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
