[发明专利]场效应二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201410452104.6 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104241400B | 公开（公告）日： | 2017-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈洪维 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应二极管及其制备方法，该场效应二极管依次包括基片，成核层，缓冲层，背势垒层，沟道层，第一势垒层，第二势垒层，第二势垒层上形成有凹槽，阳极和阴极，阴极为欧姆接触电极，阳极为复合结构由欧姆接触电极、以及位于所述凹槽中且与欧姆接触电极相短接的肖特基电极组成。其中第一势垒层与背势垒层有相近的组分含量，第二势垒层与第一势垒层的组分含量不同，第二势垒层晶格常数比第一势垒层的晶格常数小。本发明中场效应二极管具有较小的正向导通压降、较小的反向漏电流、及较大的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应二极管，其特征在于，所述场效应二极管包括：基片；位于所述基片上的成核层；位于所述成核层上的缓冲层；位于所述缓冲层上的背势垒层；位于所述背势垒层上的沟道层；位于所述沟道层上的第一势垒层；位于所述第一势垒层上的第二势垒层，所述第二势垒层上形成有凹槽；位于所述第二势垒层上的阳极和阴极，所述阴极为欧姆电极，所述阳极为复合结构，阳极由欧姆电极、以及位于所述凹槽中且与欧姆电极相短接的肖特基电极组成；所述背势垒层、第一势垒层和第二势垒层的材料为AlGaN，沟道层的材料为GaN，所述背势垒层和第一势垒层中的Al组分含量相等或相差不超过5％，所述第二势垒层中的Al组分含量高于背势垒层和第一势垒层的Al组分含量。
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