[发明专利]一种光折变空间光孤子的产生方法、装置及其应用有效
| 申请号： | 201410452297.5 | 申请日： | 2014-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN104238232B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 王颖;张素恒;王春生;李旭;梁宝来;郭庆林 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | G02F1/35 | 分类号： | G02F1/35 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司13112 | 代理人： | 苏艳肃 |
| 地址： | 071002 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光折变空间光孤子的产生方法、装置及其应用，该方法是以532nm信号光聚焦入射沿光轴方向施加电场的光折变晶体SBN75，同时加入与所述信号光同源的非相干背景光。所述信号光与所述背景光的功率比值保持在130～1100范围内，所述信号光功率为4～30μW。所述电场为与光轴方向相反的反向电场，电压为300～500V。光折变空间光孤子产生装置包括光折变晶体SBN75、提供入射光折变晶体的同源信号光和背景光的光源以及向所述光折变晶体沿光轴方向施加极性可变电场的电极板。本发明采用了电场极性控制光孤子产生来实现光路转换，在光控制和光通信方面具有很好地应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 折变 空间 孤子 产生 方法 装置 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种光折变空间光孤子的产生方法，其特征在于，以532nm 信号光聚焦入射沿光轴施加反向电场的光折变晶体SBN75，同时加入与所述信号光同源的非相干背景光；所述信号光与所述背景光的功率比值保持在1 ：30 ～ 1:100 范围内，所述信号光功率为4 ～ 30μW；所述反向电场的电压为300 ～ 500V。
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