[发明专利]一种去除深孔蚀刻后沟槽内残留物的方法

摘要

本发明涉及一种去除深孔蚀刻后沟槽内残留物的方法。包括以下步骤提供晶圆键合结构；晶圆键合结构包括键合在一起的第一片晶圆和第二片晶圆，第一片晶圆顶部蚀刻形成沟槽，沟槽内蚀刻形成有深孔；沟槽顶部和沟槽内有残留有光阻；采用反应气体去除沟槽顶部的光阻，至沟槽顶部的光阻消耗完露出二氧化硅缓冲层；通入低浓度含氟气体，至沟槽内的光阻被去除干净；通入不含氟气体的气体去除所述沟槽内的残留光阻。本发明采用低浓度的含氟气体来阻止产生硅和氧的聚合物，不仅可以将沟槽内的残留物去除干净，而且不会大量蚀刻沟槽顶部的薄膜，为后续制程提供良好的基础，大幅提高了影像传感器的可靠性。

主权项

一种去除深孔蚀刻后沟槽内残留物的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，提供晶圆键合结构；所述晶圆键合结构包括键合在一起的第一片晶圆和第二片晶圆，所述第一片晶圆顶部蚀刻形成沟槽，所述沟槽表面沉积有二氧化硅缓冲层，所述沟槽内蚀刻形成有用于连接所述第一片晶圆金属层和所述第二片晶圆金属层的深孔；所述沟槽顶部和沟槽内有残留有用于蚀刻所述深孔的光阻；步骤2，衬底温度小于100℃时，用不含氟的反应气体去除所述沟槽顶部的光阻，至沟槽顶部的光阻消耗完露出所述二氧化硅缓冲层；步骤3，反应温度小于80℃时，继续通入低浓度含氟气体去除所述沟槽内的光阻，至沟槽内的光阻被去除干净；所述含氟气体的浓度小于15％；步骤4，通入不含氟的反应气体去除所述沟槽内的残留光阻。