[发明专利]半导体存储器

摘要

本发明提供一种可靠性高的半导体存储器。本实施方式的半导体存储器包括第一存储单元区域MR，其包含积层在半导体基板上方的多个存储单元MC；多层的第一虚拟区域DR，其邻设于第一存储单元区域MR；多层的第二虚拟区域DR，其于与第一虚拟区域DR之間配置第一存储单元区域MR，且邻设于第一存储单元区域MR；以及第一配线，其连接同层的所述第一虚拟区域DR与所述第二虚拟区域DR。

主权项

一种半导体存储器，其特征在于包含：第一存储单元区域和第二存储单元区域，其包含积层在半导体基板上方的多个存储单元；多层的第一虚拟区域，其邻接于所述第一存储单元区域；多层的第二虚拟区域，其于与所述第一虚拟区域之間配置所述第一存储单元区域，且邻接于所述第一存储单元区域；多层的第三虚拟区域，其于与所述第二虚拟区域之間配置所述第二存储单元区域，且邻接于所述第二存储单元区域；以及第一配线，其连接同层的所述第一虚拟区域与所述第二虚拟区域、以及同层的所述第二虚拟区域与所述第三虚拟区域，并且包围所述第一存储单元区域和所述第二存储单元区域；所述第一存储单元区域包含多个导电层，该多个导电层积层在所述半导体基板上方，且连接同层的所述多个存储单元；所述多个导电层的各者具有梳齿形状的平面形状，且两个梳齿形状的导电层以一导电层的突出部配置在另一导电层的突出部间的方式，在同层彼此相向；在所述突出部，在列方向相邻的两个内存空洞贯通其中，且设置着两个半导体柱，所述两个半导体柱连接于互不相同的管部；所述第一配线具有虚拟配线引出部，在所述虚拟配线引出部中，所述第一配线具有阶梯状的构造，可以对所述虚拟配线施加电位；在对存储单元区域与虚拟区域进行测试时，或在存储单元区域的动作时，第一电位施加于所述第一配线；在所述测试中，可以检测存储单元领域与虚拟区域间的短路。