[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201410453249.8 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104752413A | 公开（公告）日： | 2015-07-01 |
| 发明（设计）人： | 石井齐 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明提供一种小型化、高密度化推进的半导体装置，其可以将内引线间连接。本发明的实施方式的半导体装置包含多根引线，包括内引线及外引线；半导体芯片，设置在多根引线上；间隔片，介于半导体芯片与多根引线之间，在半导体芯片的背面与多根引线之间形成间隙；导线，设置在间隙，且在半导体芯片的背面下将内引线间电性连接；以及第1绝缘层，设置在所述半导体芯片与所述导线之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于包含：多根引线，包括内引线及外引线；半导体芯片，设置在所述多根引线上；间隔件，介于所述半导体芯片的背面的一部分与所述多根引线之间，在所述半导体芯片的背面与所述多根引线之间形成间隙；导线，设置在所述间隙，且在所述半导体芯片的背面下，将所述多根引线中与I/O信号用引线相邻的电源用引线的内引线间、接地用引线的内引线间、及控制信号用引线的内引线间的至少一个以上的内引线间以跨越其他内引线的方式电连接；以及第1绝缘层，设置在所述半导体芯片的背面与所述导线之间；且连接着所述导线的内引线的上表面与所述半导体芯片的背面的距离短于被连接着所述导线的内引线所夹的内引线的上表面与所述半导体芯片的背面的距离。
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