[发明专利]一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器

摘要

本发明属于电子电路技术领域，具体涉及到一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器。本发明的低压差线性稳压器，与现有类似的LDO相比，采用在功率管栅端加入电压跟随器的方案，将传统LDO结构中功率管栅端的低频极点分离成两个高频极点，拓展了前馈和反馈带宽，并利用动态偏置的超级源随器作为电压跟随器的输出，极大地降低了重载下功率管栅端的等效电阻，提高了低压差线性稳压器对于高频电源噪声干扰的抑制性能。本发明所提出的电路结构保持LDO高效率、低噪声、电路结构简单的同时，提高了高频情况下的电源抑制比。本发明尤其适用于低压差线性稳压器。

主权项

一种具有高电源抑制比特性的低压差线性稳压器，其特征在于，包括误差放大器、动态偏置电路、LDO调整电路、输出电路、第一电容CEA和第一电阻REA；其中，所述误差放大器的正向输入端接基准电压；所述动态偏置电流由PMOS管MPB5和NMOS管MNB4构成；其中，MPB5的源极接电源，其栅极与漏极互连，其漏极接MNB4的漏极；MNB4的栅极接误差放大器的输出端，其源极接地；所述LEDO调整电路由PMOS管MPB0、MPB1、MPB2，NMOS管MNB1，第一运算放大器，第二运算放大器，第二电阻RFA，第三电阻RFB构成；其中，MPB1的源极接电源，其栅极接第一运算放大器的正向输入端，其漏极接MPB2的源极；第一运算放大器的反向输入端与其输出端互连，其输出端接MPB0的栅极；MPB0的源极接电源，其漏极依次通过第二电阻RFA和第三电阻RFB后接地；MPB2的栅极接第二运算放大器的输出端，其漏极接MNB1的漏极；MNB1的栅极依次通过第一电容CEA和第一电阻REA后接误差放大器的输出端，其源极接地；第二运算放大器的反向输入端接MPB1漏极与MNB1源极的连接点，其正向输入端接MPB0漏极和第二电阻RFA的连接点；第二电阻RFA和第三电阻RFB的连接点接误差放大器的反向输入端；所述输出电路由第四电阻RLO和第二电容CLO构成；其中，第四电阻RLO的一端和第二电容CLO的一端接MPB0漏极和第二电阻RFA的连接点作为输出端；第四电阻RLO的另一端和第二电容CLO的另一端均接地。