[发明专利]一种分级多孔Si‑C‑N杂化材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种分级多孔Si‑C‑N杂化材料及其制备方法，属于新材料领域。所述方法包括以商业聚硅氮烷为前驱体，自制的交联的聚二乙烯基苯微球为造孔剂，制备杂化材料前驱体粉末。选用较低的烧结温度和合适的造孔剂含量，从而制备出具有较大比表面积的大孔‑微孔Si‑C‑N杂化材料。通过分级多孔Si‑C‑N杂化材料对不同有机染料的吸附行为的研究，表明其对水中不同有机染料的选择性吸附。本发明所述的杂化材料不仅具有较小的传质阻力，而且具有较大的比表面积，原料廉价易得，吸附效率高，回收容易，吸附后的材料可通过简单的热解来除去染料，不会造成二次污染。

主权项

一种分级多孔Si‑C‑N杂化材料的制备方法，其特征在于，所述方法按如下步骤进行：(1)前驱体的制备：利用Schlenk技术除去瓶中的空气和水分后，将质量比为1∶1‑1∶2的聚硅氮烷和自制的交联的聚二乙烯基苯微球与溶剂，进行混合，搅拌24h形成悬浊液后使用带有液氮冷阱的真空装置缓慢除去溶剂，取出固体析出物，得到均匀混合的固体杂化材料前驱体，所述溶剂必须能够溶解聚硅氮烷且沸点低，以便液氮冷阱的真空装置除去溶剂，形成均匀的前驱体聚合物固体；(2)前驱体的裂解：将固体杂化材料前驱体置于管式炉中，在氩气或氮气下，以不高于650℃，不低于500℃的裂解温度烧结4h，即得。