[发明专利]具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管在审
| 申请号： | 201410454183.4 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104241351A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;陈南庭;潘沛霖;刘东;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06 |
| 代理公司： | 成都虹桥专利事务所(普通合伙) 51124 | 代理人： | 李凌峰 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体技术。本发明解决了现有氮化镓基异质结场效应晶体管耐压不高的问题，提供了一种具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管，其技术方案可概括为：与现有的普通GaN HFET(氮化镓基异质结场效应晶体管)相比，本发明的具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管还具有体内复合场板结构，该体内复合场板结构由电极及绝缘介质层组成。本发明的有益效果是，增加器件耐压，适用于氮化镓基异质结场效应晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 体内 复合 板结 氮化 镓基异质结 场效应 | ||
【主权项】：
具有体内复合场板结构的氮化镓基异质结场效应管，包括衬底107、氮化镓缓冲层106、氮化镓沟道层105、铝镓氮势垒层104、源极101、漏极102及栅极103，所述氮化镓缓冲层106设置在衬底107上方，其特征在于，还包括体内复合场板结构，所述体内复合场板结构由电极208及绝缘介质层209组成，所述电极208的水平位置位于栅极103与漏极102之间，电极208的下表面与器件下表面相接触，绝缘介质层209覆盖在电极208位于衬底107、氮化镓缓冲层106及氮化镓沟道层105中的其他表面上，体内复合场板结构的垂直方向上的厚度小于氮化镓沟道层105的上表面到衬底107下表面的距离。
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