[发明专利]垂直集成系统有效
| 申请号： | 201410454354.3 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN104282684B | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | A·奥都奈尔;S·艾瑞阿尔特;M·J·姆菲;C·莱登;G·卡塞;E·E·恩格利什 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及垂直集成系统。本发明的实施方式提供了一种集成电路系统，包括：在半导体管芯的前侧制造的有源层；在所述半导体管芯的背侧设置的流体保持层，所述流体保持层包括用于流体流动的通道；至少一条导电路径，配置为电连接所述集成系统中的不同的层；以及至少一条非导电路径，配置为连接所述集成电路系统中的不同的层。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 集成 系统 | ||
【主权项】：
一种集成电路系统，包括：在半导体管芯的前侧制造的有源层；在所述半导体管芯的背侧设置的流体保持层，所述流体保持层包括用于流体流动的通道；至少一条导电路径，配置为电连接所述集成系统中的不同的层；以及至少一条非导电路径，配置为连接所述集成电路系统中的不同的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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