[发明专利]一种放大器输出限幅电路在审
申请号: | 201410454699.9 | 申请日: | 2014-09-09 |
公开(公告)号: | CN104242843A | 公开(公告)日: | 2014-12-24 |
发明(设计)人: | 王志鹏 | 申请(专利权)人: | 长沙景嘉微电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F3/45 | 分类号: | H03F3/45 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 410205 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种放大器输出限幅电路,包括限幅电路和带共模反馈的全差分运算放大器两部分,该电路巧妙的利用了PMOS管的阈值电压作为限制运放输出幅度的最大幅值,限幅电路PMOS输入管会随着接入到其栅、源两端输出与输入之间的差模电压大小的变化,导通或截止,若差模电压大于PMOS输入管的阈值电压,PMOS管导通,限幅电路工作,该电路具有结构简单,功耗极低且非常便于集成的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 放大器 输出 限幅 电路 | ||
【主权项】:
一种放大器输出限幅电路,其特征在于,所述电路结构包括限幅电路和带共模反馈的全差分运算放大器两部分,差分输入信号(VIN)接放大器(DIFF_OP)的负输入端,差分输入信号(VIP)接放大器(DIFF_OP)的正输入端,差分输出信号(VON)接放大器(DIFF_OP)的负输出端,差分输出信号(VOP)接放大器(DIFF_OP)的正输出端;第一NMOS管(N1)的漏极与第一PMOS管(P1)的漏极相连,同时接到第一PMOS管(P1)的栅极,还接到第二PMOS管(P2)的栅极,第一NMOS管(N1)的栅极接第二NMOS管(N2)的栅极,同时还接到第二NMOS管(N2)的漏极,第一NMOS管(N1)的源级接地,第二NMOS管(N2)的漏极接第六PMOS管(P6)的漏极,第二NMOS管(N2)的源级接地,第六PMOS管(P6)的栅极接放大器(DIFF_OP)的正输出端(VOP),第六PMOS管(P6)的源级接放大器(DIFF_OP)的负输入端(VIN),第四PMOS管(P4)的漏极接放大器(DIFF_OP)的负输入端(VIN),第四PMOS管(P4)的栅极接第三PMOS管(P3)的栅极,同时还接到第三PMOS管(P3)的漏极,第四PMOS管(P4)的源级接电源(VDD),第三PMOS管(P3)的漏极接第四NMOS管(N4)的漏极,第三PMOS管(P3)的源级接电源(VDD),第四NMOS管(N4)的栅极接第三NMOS管(N3)的栅极,同时接到第三NMOS管(N3)的漏极,第四NMOS管(N4)的源级接地,第三NMOS管(N3)的漏极接第五PMOS管(P5)的漏极,第三NMOS管(N3)源级接地,第五PMOS管(P5)的栅极接放大器(DIFF_OP)的负输出端(VON),第五PMOS管(P5)的源级接放大器(DIFF_OP)的正输入端(VIP),第二PMOS管(P2)的漏极接放大器(DIFF_OP)的正输入端(VIP),第二PMOS管(P2)的源级接电源(VDD)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙景嘉微电子股份有限公司,未经长沙景嘉微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410454699.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:带水容器的真空清洁器
- 下一篇:二次电池