[发明专利]具有金属栅极的半导体元件及其制作方法

摘要

本发明公开一种具有金属栅极的半导体元件及其制作方法，包含有一基底、一设置于该基底上的第一金属栅极以及一设置于该基底上的第二金属栅极。该第一金属栅极包含有一第一功函数金属层与一形成于该第一功函数金属层上的第二功函数金属层，该第一功函数金属层包含有一渐尖形顶部，且该第一功函数金属层与该第二功函数金属层彼此互补。该第二金属栅极包含有该第二功函数金属层。

主权项

一种具有金属栅极的半导体元件的制作方法，包含有：提供一基底，该基底表面形成有一第一晶体管与第一第二晶体管，该第一晶体管内形成有一第一栅极沟槽(gate trench)，且该第二晶体管内形成有一第二栅极沟槽；在该第一栅极沟槽内形成一图案化第一功函数金属(work function metal)层；在该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽内分别形成一第二牺牲掩模层(sacrificial masking layer)；进行一蚀刻制作工艺，移除部分该图案化第一功函数金属层，以于该第一栅极沟槽内形成一U形第一功函数金属层；以及进行一二步骤蚀刻制作工艺，移除该第一栅极沟槽内的该第二牺牲掩模层与部分该U形第一功函数金属层，以于该U第一功函数金属层的顶部形成一渐尖形顶部，其中该二步骤蚀刻制作工艺包含一剥除(strip)步骤与一湿蚀刻步骤。