[发明专利]基于聚苯砜的阴离子交换膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201410455699.0 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104262660A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 姚方勃;张本贵;张恩磊;王国胜;宁志高 | 申请（专利权）人： | 沈阳化工大学 |
| 主分类号： | C08J5/22 | 分类号： | C08J5/22;C08G75/20;H01M8/02;H01M2/16 |
| 代理公司： | 沈阳技联专利代理有限公司 21205 | 代理人： | 张志刚 |
| 地址： | 110142 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于聚苯砜的阴离子交换膜及其制备方法，特征是将聚苯砜进行卤甲基化改性，得到卤甲基化程度为10~200%的卤甲基化聚苯砜。将卤甲基化聚苯砜溶解于有机溶剂中配制成溶液，然后将溶剂完全挥发或部分挥发后浸入沉淀剂中制得基膜，然后将基膜浸泡于有机胺溶液中进行胺化处理，得到聚苯砜阴离子交换膜，所制备的均相阴离子交换膜具有较高的离子交换容量，适当的含水量，优良的阻隔钒离子交叉渗透的能力，在全钒液流电池中具有很好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚苯砜 阴离子 交换 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
基于聚苯砜的阴离子交换膜，其特征在于，所述交换膜包括聚苯砜的聚合物分子链含有如下结构：![]()
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