[发明专利]一种通过注入氮改性多晶硅层的方法

摘要

本发明关于一种改性多晶硅的方法，其包含下列步骤：提供多晶硅层，将氮原子注入多晶硅层至预定深度，蚀刻注入氮原子的多晶硅层，其中氮化的多晶硅层经由蚀刻去除后，剩下的多晶硅层被暴露出来且与原本的多晶硅层并无明显的差异。

主权项

一种改性多晶硅层的方法，包含步骤：注入氮原子于一多晶硅层至一第一深度以形成一第一氮化多晶硅区；以及执行一第一蚀刻制程以去除该第一氮化多晶硅区，其中该多晶硅层并未受到该第一蚀刻制程所蚀刻。