[发明专利]一种发光二极管在审
| 申请号： | 201410456524.1 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104201261A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 董木森;申利莹;王笃祥;王良均 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14 |
| 代理公司： | 无 | 代理人： | 无 |
| 地址： | 300384 天津市*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管，依次包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层。所述MQW发光层由周期性阱/垒交替堆叠而成，所述阱层为InxGa1-xN层，所述垒层为同时掺N/P的GaN层，可以为均匀掺杂、非均匀掺杂或delta掺杂，掺杂N/P垒层个数和垒层中N/P掺杂周期、掺杂区域和掺杂浓度均可调节。本发明采用以上在MQW结构GaN垒层中同时进行N/P掺杂形成隧穿结，可有效提高空穴和电子在整个MQW区域的传输和扩散，从而拓宽MQW的发光区域并提高空穴和电子的复合几率，最终，显著提高发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，包括：衬底、缓冲层、N型GaN层、MQW发光层和P型GaN层，所述MQW发光层由周期性阱/垒交替堆叠而成，所述阱层为InxGa1‑xN层，所述垒层为同时掺N/P的GaN层。
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