[发明专利]一种薄膜晶体管、阵列基板、以及显示装置有效
| 申请号： | 201410456916.8 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104241395B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 曾庆慧;张卓;藤野诚治 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种薄膜晶体管、阵列基板、以及显示装置，用以解决现有技术中存在的TFT的开态电流与关态电流的比值比较小的问题。本发明实施例提供的TFT，包括栅极，位于所述栅极上的有源层，以及分别位于所述有源层两侧、且与所述有源层均部分交叠的源极和漏极；所述有源层包括至少一个第一结构部和至少一个第二结构部，所述第一结构部的材料为半导体，所述第二结构部的材料为设定导体，所述设定导体的导电性能优于导通后的所述半导体；其中，当在所述栅极上施加开启电压时，位于所述源极和所述漏极之间的导电通道包括所述第一结构部和所述第二结构部。本发明实施例增大了TFT的开态电流与关态电流的比值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 阵列 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括栅极，位于所述栅极上的有源层，以及分别位于所述有源层两侧、且与所述有源层均部分交叠的源极和漏极，其特征在于，所述有源层包括：至少一个第一结构部和至少一个第二结构部，所述第一结构部的材料为半导体，所述第二结构部的材料为设定导体，所述设定导体的导电性能优于导通后的所述半导体；其中，当在所述栅极上施加开启电压时，位于所述源极和所述漏极之间的导电通道包括所述第一结构部和所述第二结构部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410456916.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
