[发明专利]一种超薄平面透射电镜样品的制备方法

摘要

本发明涉及一种超薄平面透射电镜样品的制备方法。包括以下步骤：提供具有待观测的失效分析点的芯片；对芯片进行截取得到TEM样品；在TEM样品上靠近失效分析点处形成停止标记，并研磨TEM样品的横截面至停止标记；在TEM样品横截面的失效分析点上镀Pt保护层；在第二薄膜层上靠近失效分析点处挖凹坑，并减薄第二薄膜层；将TEM样品放置在沸腾的胆碱配比溶液中反应；采用聚焦离子束对TEM样品进行切断，得到目标层样品。本发明的一种超薄平面透射电镜样品的制备方法，既可以准确定位样品，又可以得到厚度在十几个纳米的TEM目标层样品，避免了平面透射电镜受到前层多晶硅或者后层多晶硅对待观察区域的干扰，大大提高了失效分析中判断定位的准确性。

主权项

一种超薄平面透射电镜样品的制备方法，包括以下步骤：步骤1，提供芯片，所述芯片上具有待观测的失效分析点；步骤2，对所述芯片进行截取得到TEM样品，所述TEM样品从上往下依次包括第一薄膜层、多晶硅层间介质层、目标层和第二薄膜层，所述目标层包括所述失效分析点；采用化学机械方法，从所述TEM样品的第一薄膜层开始研磨，至露出所述多晶硅层间介质层上的多晶硅；步骤3，在所述TEM样品上靠近所述失效分析点处形成停止标记，并采用化学机械研磨方法,研磨所述TEM样品的横截面至所述停止标记；步骤4，观测所述失效分析点的位置，并在所述TEM样品横截面的失效分析点上镀Pt保护层，所述Pt保护层覆盖所述失效分析点；步骤5，采用聚焦离子束在所述第二薄膜层上靠近所述失效分析点处挖凹坑，并采用小电流将所述第二薄膜层减薄；步骤6，将所述TEM样品放置在沸腾的胆碱配比溶液中进行反应，直至去除所述多晶硅层间介质层中的多晶硅和所述第二薄膜层中的多晶硅；步骤7，采用聚焦离子束对所述TEM样品进行切断，得到目标层样品。