[发明专利]磁屏蔽装置以及磁屏蔽方法在审
| 申请号： | 201410457805.9 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104427844A | 公开（公告）日： | 2015-03-18 |
| 发明（设计）人： | 保刈龙治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H05K9/00 | 分类号： | H05K9/00;G01R33/022 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 李逸雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁屏蔽装置以及磁屏蔽方法，通过控制流入磁场梯度而具有优异的磁场测量空间。磁屏蔽装置的特征在于具有：无源屏蔽罩(11)、在无源屏蔽罩的内部被规定的修正对象空间(150)、作为对无源屏蔽罩(11)内的磁场进行修正的作为第一线圈的外部线圈(12A、12B)、第一磁传感器(14A)、与第一磁传感器(14A)相比更靠近无源屏蔽罩(11)的内侧而配置的第二磁传感器(14B)、和控制部(20)，第一磁传感器(14A)和第二磁传感器(14B)测量无源屏蔽罩(11)的磁场梯度，控制部(20)基于第一磁传感器(14A)和第二磁传感器(14B)的测量结果来控制外部线圈(12A、12B)。 | ||
| 搜索关键词： | 屏蔽 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种磁屏蔽装置，其特征在于，具有：无源屏蔽罩；在所述无源屏蔽罩的内部被规定的修正对象空间；对所述无源屏蔽罩内的磁场进行修正的第一线圈；第一磁传感器；与所述第一磁传感器相比更靠近所述无源屏蔽罩的内侧而配置的第二磁传感器；和控制部，所述第一磁传感器和所述第二磁传感器测量所述无源屏蔽罩内的磁场梯度，所述控制部基于所述第一磁传感器和所述第二磁传感器的测量结果来控制所述第一线圈。
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