[发明专利]发光装置以及电子设备有效
申请号: | 201410458189.9 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN104465699B | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 太田人嗣;野泽陵一 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09F9/30 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 舒艳君;李洋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种发光装置以及电子设备。在该发光装置的半导体基板上形成包括根据栅极的电位来控制驱动电流的驱动晶体管的多个晶体管、以与驱动电流相应的亮度发光的发光元件、以及将各晶体管电分离的元件分离部。元件分离部具有在形成于上述半导体基板的槽部的内部填充绝缘体的结构。 | ||
搜索关键词: | 发光装置 半导体基板 元件分离部 电子设备 晶体管 绝缘体 电位 驱动晶体管 发光元件 控制驱动 内部填充 驱动电流 电分离 槽部 发光 | ||
【主权项】:
1.一种发光装置,其特征在于,具备:形成于半导体基板的多个晶体管;以及发光元件,其以与驱动电流相应的亮度发光,所述多个晶体管包括根据栅极的电位来控制驱动电流的驱动晶体管、以及第二晶体管和根据灰度电位来设定所述驱动晶体管的所述栅极的电位的第一晶体管;所述驱动晶体管的元件部形成为在第一方向上延伸的带状,所述第一晶体管的元件部以及所述第二晶体管的元件部在所述第一方向上相互隔开间隔地排列,且相对于所述驱动晶体管的元件部在与所述第一方向正交的第2方向上隔开相等的间隔地在所述第一方向上延伸,上述发光装置还具备浅沟槽隔离结构的元件分离部,该元件分离部将所述多个晶体管中的一个晶体管和其他的晶体管分离且形成于所述半导体基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社,未经精工爱普生株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410458189.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种存储数据的方法及装置
- 下一篇:显示装置、显示方法及可视化方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的