[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201410458220.9 | 申请日: | 2014-09-10 |
公开(公告)号: | CN104425325B | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 根来世;永井泰彦;岩田敬次 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人: | 金相允,向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括液膜保持工序,用于将处理液的液膜保持在基板的主面上,加热器加热工序,与所述液膜保持工序并行地进行,通过与所述基板的主面相向配置的加热器对处理液的所述液膜加热;所述加热器加热工序,在其执行过程中,使该加热器的功率从之前的功率发生变更。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
一种基板处理方法,其特征在于,包括:液膜保持工序,用于将处理液的液膜保持在基板的主面上,在所述基板的主面形成有由感光树脂形成的抗蚀剂膜,该抗蚀剂膜在表面具有固化层,在该表面的内侧具有非固化层,第一加热器加热工序,将与所述基板的主面相向配置的加热器的功率设定为第一功率,用所述加热器对处理液的所述液膜进行加热,将保持在所述基板的主面上的处理液的所述液膜加热至能够除去所述固化层的温度,第二加热器加热工序,在所述第一加热器加热工序完成后,紧接着将所述加热器的功率变更为比所述第一功率低的第二功率,以能够除去所述非固化层的温度来对保持在所述基板的主面上的处理液的所述液膜进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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