[发明专利]对含硅矿物气相脱硅并循环利用含卤素物质的方法无效
| 申请号： | 201410458727.4 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104192852A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 李丹阳 | 申请（专利权）人： | 贵州万方铝化科技开发有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 550022 贵州省贵阳市国*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明涉及脱硅领域，具体涉及对含硅矿物气相脱硅并循环利用含卤素物质的方法包括如下步骤：将含硅矿物中金属氧化物与含卤素物质反应完全制成该金属的卤化物；将得到的所述金属卤化物与含硅矿物在高温下反应得到高温态的卤化硅气体和脱硅后的矿物；将生成的高温态卤化硅气体收集并水解完全生成二氧化硅和含卤素物质；将得到的所述含卤素物质经加工处理再与步骤(1)中的含硅矿物中金属氧化物反应生成该金属的卤化物，参与脱硅循环反应。由于二氧化硅是将收集到的卤化硅气体水解生成，得到的二氧化硅纯度高并且该工艺脱硅彻底，卤化物被循环利用基本没有消耗，并且过程简单没有副产物和损耗成本低应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 矿物 气相脱硅 循环 利用 卤素 物质 方法 | ||
【主权项】：
对含硅矿物气相脱硅并循环利用含卤素物质的方法，其特征在于，具体包括如下步骤：(1)将含硅矿物中金属氧化物与含卤素物质反应完全制成该金属的卤化物；(2)将得到的所述金属的卤化物与含硅矿物在高温下反应得到高温态的卤化硅气体和脱硅后的矿物；(3)将生成的高温态卤化硅气体收集并水解完全生成二氧化硅和含卤素物质；(4)将得到的所述含卤素物质经加工处理再与步骤(1)中所述的含硅矿物中金属氧化物反应生成该金属的卤化物，参与脱硅循环反应。
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