[发明专利]利用外部装料结构进行多晶硅装料的控制方法在审

专利信息
申请号: 201410458934.X 申请日: 2014-09-11
公开(公告)号: CN104250848A 公开(公告)日: 2014-12-31
发明(设计)人: 朱亮;王巍;倪军夫;孙明;沈兴潮 申请(专利权)人: 浙江晶盛机电股份有限公司
主分类号: C30B15/20 分类号: C30B15/20;C30B29/06
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 周世骏
地址: 312300 浙江省绍兴*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及直拉硅单晶生长设备的辅助设备,旨在提供利用外部装料结构进行多晶硅装料的控制方法。该种外部装料结构的主体包括籽晶系统和旋转机构,利用外部装料结构进行多晶硅装料的控制方法,当单晶炉热场为18~24寸,上述各值需要满足以下公式:G1≥G2+G3,G/2≥G2+G3,F≥K(G2+G3);其中,G为称重传感器的称重范围,G1为钢丝绳的载荷,G2为多晶硅原料的质量,G3为石英坩埚和真空罩的总质量,F为真空表上压力值P产生的压力,K为安全系数。本发明不需增加额外吊装辅助设备,利用了单晶炉固有的籽晶系统和副炉室旋转机构,能有效的实现坩埚炉外装料。
搜索关键词: 利用 外部 装料 结构 进行 多晶 控制 方法
【主权项】:
利用外部装料结构进行多晶硅装料的控制方法,其特征在于,将装有多晶硅原料的石英坩埚吊装到单晶炉热场内时,设称重传感器的称重范围为G,将称重传感器组件看作定滑轮,钢丝绳的载荷为G1,装入多晶硅原料的质量为G2,石英坩埚和真空罩的总质量为G3,真空表上压力值P产生的压力为F(其中P为0.1个大气压);当单晶炉热场为18~24寸,上述各值需要满足以下公式:G1≥G2+G3,G/2≥G2+G3,F≥K(G2+G3);K为安全系数,在生产过程中K取5。
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