[发明专利]用于CVD腔室清洗的远程诱导耦接的等离子体源有效
申请号: | 201410459032.8 | 申请日: | 2008-06-02 |
公开(公告)号: | CN104362066B | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 卡尔A·索伦森;乔瑟夫·库德拉 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;C23C16/44;H05H1/46 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人: | 徐金国 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明主要包括远程等离子体源和在远程等离子体源中产生等离子体的方法。清洗气体可在远程位置被激发为等离子体并且随后提供到处理腔室。通过在冷却RF线圈外部流动清洗气体,在可高压或低压下并且将高RF偏压施加到线圈而激发等离子体。冷却RF线圈可减少线圈的溅射并从而减少与清洗气体等离子体一起被输送到处理腔室的不期望污染物。减少线圈的溅射可延长远程等离子体源的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 用于 cvd 清洗 远程 诱导 等离子体 | ||
【主权项】:
一种远程等离子体源,包含:外壳,所述外壳具有至少一个导电壁以及至少一个冷却通道,所述至少一个冷却通道在所述至少一个导电壁内延伸;气体入口,所述气体入口在与所述至少一个导电壁毗邻的第一壁处与所述外壳耦接;等离子体出口,所述等离子体出口在与所述至少一个导电壁毗邻且与所述第一壁相对的第二壁处与所述外壳耦接;冷却管道,所述冷却管道围绕所述等离子体出口;金属线圈,所述金属线圈设置在所述外壳内,所述金属线圈具有外侧表面和内侧表面,并且所述金属线圈的预定厚度为厚于射频电流的穿透深度,所述金属线圈具有第一端和第二端,所述第一端与从设置在所述第一壁的外部的第一位置延伸的第一金属管道连接,所述第二端与从所述第二壁的外部的第二位置延伸的第二金属管道连接;射频输入,所述射频输入在所述第一位置和所述第二位置与所述外侧表面耦接,且所述射频输入将在所述金属线圈外侧流动的气体在所述外壳内激发成等离子体;以及第一冷却液入口,所述第一冷却液入口与所述内侧表面耦接,冷却液与所述金属线圈外侧流动的气体相反地流经所述金属线圈的内侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司,未经应用材料公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410459032.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。