[发明专利]基于二维类石墨烯结构的光子晶体同源结构高消光比偏振分束器有效

专利信息
申请号: 201410459525.1 申请日: 2014-09-10
公开(公告)号: CN104199143B 公开(公告)日: 2017-03-22
发明(设计)人: 杨修伦;黄哲;范冉冉;王林辉 申请(专利权)人: 山东大学
主分类号: G02B6/122 分类号: G02B6/122;G02B6/125;G02B6/126
代理公司: 济南金迪知识产权代理有限公司37219 代理人: 吕利敏
地址: 250199 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 发明涉及基于二维类石墨烯结构的光子晶体同源结构高消光比偏振分束器,包括光子晶体波导、TE输出端、TM输出端及光束输入端,TE输出端、TM输出端及光束输入端呈Y型结构,光子晶体波导调节二维类石墨烯结构参数且具有完全禁带,TE输出端调节二维类石墨烯结构参数且具有TM模禁带,TM输出端调节二维类石墨烯结构参数且具有TE模禁带。本发明具有超高的偏振光消光比,解决了由于现有技术的消光性能有限导致在传输过程中产生的偏振误差问题;本发明具有光子晶体标度不变性,通过调节晶格常数使偏振分束器工作在所需波段;本发明具有同源结构,适当的处理后,作为宽频带11的光分束器使用,达到实现多功能光分束器的目的。
搜索关键词: 基于 二维 石墨 结构 光子 晶体 同源 高消光 偏振 分束器
【主权项】:
基于二维类石墨烯结构的光子晶体同源结构高消光比偏振分束器,其特征在于,包括光子晶体波导、TE输出端、TM输出端及光束输入端,所述TE输出端、TM输出端及光束输入端呈Y型结构,所述光子晶体波导调节二维类石墨烯结构参数使其具有完全禁带,所述TE输出端调节二维类石墨烯结构参数使其具有TM模禁带,TM输出端调节二维类石墨烯结构参数使其具有TE模禁带,入射波通过所述光束输入端输入所述偏振分束器,TE分量通过所述偏振分束器的TE输出端输出,TM分量通过所述偏振分束器的TM输出端输出;所述偏振分束器的背景材料为砷化镓,所述砷化镓折射率n=3.6;所述光子晶体波导上每个正六边形砷化镓介质六个角上的圆形砷化镓介质半径均为0.155a,所述光子晶体波导上每个正六边形砷化镓介质内空气孔之间的砷化镓介质宽度为0.0355a,所述光子晶体波导上每个正六边形空气孔内的圆形砷化镓介质半径为0,所述a为所述基于二维类石墨烯结构的光子晶体同源结构高消光比偏振分束器的晶格常数,所述光子晶体波导归一化频率范围为0.3885‑0.4943。
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