[发明专利]硅通孔金属柱背面互联方法有效
| 申请号： | 201410459812.2 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104347494A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 丁万春 | 申请（专利权）人： | 南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 地址： | 226006 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硅通孔金属柱背面互联方法，包括：以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在凸点表面形成凸点下金属层，该硅基板上包括至少一个硅通孔金属柱；在相邻的固定数目的凸点对应的凸点下金属层上形成锡球，该锡球环包所述固定数目的凸点下金属层，以实现对应的硅通孔金属柱背面互联。该方案简化了工艺，降低了生产和工艺风险。 | ||
| 搜索关键词： | 硅通孔 金属 背面 方法 | ||
【主权项】：
一种硅通孔金属柱背面互联方法，其特征在于，包括：以延伸至硅基板背面的硅通孔金属柱作为凸点，在所述凸点表面形成凸点下金属层，所述硅基板上包括至少一个硅通孔金属柱；在相邻的固定数目的所述凸点对应的所述凸点下金属层上形成锡球，所述锡球环包所述固定数目的所述凸点下金属层，以实现对应的所述硅通孔金属柱背面互联。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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