[发明专利]电池保护电路在审

专利信息
申请号: 201410460572.8 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN104218542A 公开(公告)日: 2014-12-17
发明(设计)人: 钟斌;陈光辉 申请(专利权)人: 东莞新能德科技有限公司
主分类号: H02H7/18 分类号: H02H7/18
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 罗伟平
地址: 523000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明属于保护电路技术领域,具体涉及电池保护电路技术领域。包括电芯、一次保护电路、二次保护电路、放电/充电正极端口以及放电/充电负极端口,二次保护电路与电芯连接,一次保护电路与二次保护电路连接。一次保护电路包括第一电池保护芯片、第一N沟道MOS管及第二N沟道MOS管、第一电阻,二次保护电路包括第二电池保护芯片、第三N沟道MOS管及第四N沟道MOS管、第四电阻。第一N沟道MOS管与第二N沟道MOS管串联后分别与第一电池保护芯片连接,第三N沟道MOS管与第四N沟道MOS管串联后分别与第二电池保护芯片连接。本发明在不使用电流保险丝及PTC或电流开关等二次保护元件的情况下,可满足比常规保护电路更大的电流需求,符合UL2054安规认证标准和LPS认证。
搜索关键词: 电池 保护 电路
【主权项】:
电池保护电路,其特征在于:包括电芯(1)、一次保护电路(2)、二次保护电路(3)、放电/充电正极端口(4)以及放电/充电负极端口(5),所述二次保护电路(3)与所述电芯(1)电连接,所述一次保护电路(2)与所述二次保护电路(3)电连接,所述一次保护电路(2)包括第一电池保护芯片(201)、第一N沟道MOS管(211)及第二N沟道MOS管(212)、侦测过流用的第一电阻(202),所述二次保护电路(3)包括第二电池保护芯片(301)、第三N沟道MOS管(311)及第四N沟道MOS管(312)、侦测过流用的第四电阻(302),所述第一N沟道MOS管(211)与所述第二N沟道MOS管(212)串联后分别与所述第一电池保护芯片(201)电连接,所述第三N沟道MOS管(311)与所述第四N沟道MOS管(312)串联后分别与所述第二电池保护芯片(301)电连接。
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