[发明专利]ZrSe3和HfSe3纳米带的制备方法及其在光探测器中的应用无效
| 申请号： | 201410460580.2 | 申请日： | 2014-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN104261358A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 吴兴才;熊维伟;朱俊杰;陈晋强 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04;B82Y30/00;H01L31/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种制备ZrSe3和HfSe3纳米带的方法，即将锆粉(或铪粉)与硒粉按照1∶3比例混合，充分研磨混合均匀并装入一端封闭的石英管中，抽真空，火焰封闭另一端。将密封好的石英管水平放入管式炉的中，原料在炉子中间，在550-750℃反应一段时间后，原料全部转化为ZrSe3(或HfSe3)纳米带。然后，将这两种纳米带分别在SiO2/Si基片上加工成单根纳米带的场效应晶体管作为光探测器。这两种光探测器在可见光的波长范围内具有良好的光敏感特性。本发明公开了其材料制备方法和该探测器的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | zrse sub hfse 纳米 制备 方法 及其 探测器 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种制备ZrSe3纳米带的方法：首先将锆粉末与硒粉末按照摩尔比1∶3混合，研磨混合均匀并装入一端封闭的石英管中，抽真空，火焰封管。将密封好的石英管水平放入管式炉中间，在550‑750℃下反应5‑24h，原料全部转化为三硫化锆纳米带。纳米带宽度为20‑500nm，长度为几十纳米。
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