[发明专利]一种用于MOCVD反应器的格栅式气体分布装置

摘要

本发明公开了用于MOCVD反应器的格栅式气体分布装置。所述格栅式气体分布装置具有三路单独进气气路，分别为含有第一反应物源材料的气路与含有第二反应物源材料的气路及载气气路。三路气体从格珊式的气体喷嘴进入反应室中，其中载气气路还具有一环形喷气口。其中载气气路形成隔离气帘将含有第一反应源的气体与含有第二反应源的气体隔开，环形的载气喷嘴将反应室内部空间与反应室壁隔开。本发明有效抑制了反应室内部反应物之间的预反应，并且能够减少反应室壁上沉积物的产生。从而提高了反应物源材料的利用率，并且将反应室内部清洗周期大大延长，提高了设备的利用率。

主权项

一种用于MOCVD反应器的格栅式气体分布装置，其特征在于，包括位于反应腔室（1）上方、且正对于晶片（4）的气体喷嘴板（41），位于气体喷嘴板（41）上方的上盖板（11），及位于气体喷嘴板（41）与上盖板（11）之间的多块上下叠置的气体分布结构板（21,31）；所述气体喷嘴板（41）上开有第一前体气体喷嘴通道（401）、第二前体气体喷嘴通道（402）、第一载气喷嘴通道（403）和第二载气喷嘴通道（409）；其中所述第一前体气体喷嘴通道（401）和第二前体气体喷嘴通道（402）之间由第一载气喷嘴通道（403）隔开，使载气气路喷射出来的载气形成隔离气帘将第一前体气体与第二前体气体隔离开；所述反应室（3）腔体与反应室壁（10）之间由第二载气喷嘴通道（409）隔开，使载气喷嘴喷射出来的载气形成隔离气帘将反应室内部空间与反应室壁隔离开；所述气体喷嘴板（41）上的第一前体气体喷嘴通道（401）、第二前体气体喷嘴通道（402）、第一载气喷嘴通道（403）、第二载气喷嘴通道（409）单独地通过设置在所述气体分布结构板（21,31）和上盖板（11）上的不同管路与相应的气源管路连通；所述气体分布结构板数量为两块，分别为第一气体分布板（31）与第二气体分布板（21）；所述第二气体分布板（21）上分布有第一载气喷嘴通道（204）与第二前体气体喷嘴通道（203），第二前体气体连接管道（205）及第二前体气体分布通道（202）；所述第二前体气体连接管道（205）、第二前体气体分布通道（202）、第二前体气体喷嘴通道（203）依次连通；所述第一气体分布板（31）上分布有第一载气喷嘴通道（304）、第一前体气体喷嘴通道（307）、第一前体气体连接管道（305）、第一前体气体分布通道（303）；所述第一前体气体连接管道（305）、第一前体气体分布通道（303）和第一前体气体喷嘴通道（307）依次连通；所述第一气体分布板（31）与第二气体分布板（21）上分布有相应的前体气体预分布腔（301、201）；所述上盖板（11）底端面上开有凹槽（106），该凹槽（106）与最上面的一块气体分布结构板之间形成第一路载气预分布腔（101）；所述气体喷嘴板（41）上分布有第二载气预分布腔（405）；所述第一路载气预分布腔（101）和第二载气预分布腔（405）连通；所述气体喷嘴板（41）上的第一前体气体喷嘴通道（401）喷射气体区域的宽度及长度的尺寸均对应小于与之相邻的气体喷嘴板（41）上的第二前体气体喷嘴通道（402）喷射气体区域的宽度及长度的尺寸；所述气体喷嘴板（41）上的第一前体气体喷嘴通道（401）喷射气体区域的长度小于与之相邻的气体喷嘴板（41）上的第一载气喷嘴通道（403）喷射气体区域的长度。