[发明专利]带隙基准电路有效
申请号: | 201410461321.1 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN104516395A | 公开(公告)日: | 2015-04-15 |
发明(设计)人: | 周宁 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G05F3/28 | 分类号: | G05F3/28 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 郭四华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种带隙基准电路,包括:启动电路、运放和主体电路;运放的偏置电流为主体电路的工作电流的镜像电流,运放的输出端连接主体电路的PMOS电流镜组的栅极;启动电路包括一脉冲产生电路,脉冲产生电路的第一输入端连接使能信号,脉冲产生电路的第二输入端连接运放的输出端,脉冲产生电路的输出端连接到运放;脉冲产生电路在使能信号使能且第二输入端为高电平时在输出端输出一高电平脉冲信号,脉冲产生电路输出的高电平脉冲信号输入到运放并将运放的输出信号拉到地电位;脉冲产生电路在使能信号使能且第二输入端为低电平时在输出端输出一低电平信号,脉冲产生电路输出的低电平信号不作用于运放的输出端。本发明能加快启动速度。 | ||
搜索关键词: | 基准 电路 | ||
【主权项】:
一种带隙基准电路,其特征在于,包括:启动电路、运放和主体电路;所述主体电路包括第一双极型晶体管和第二双极型晶体管,所述第一双极型晶体管和所述第二双极型晶体管的类型相同且所述第二双极型晶体管的发射极面积大于所述第一双极型晶体管的发射极面积,所述主体电路利用第一双极型晶体管的基射电压的负温度系数和所述第一双极型晶体管和所述第二双极型晶体管的基射电压差的正温度系数的正负抵消实现基准电压的输出;所述运放的偏置电流为所述主体电路的工作电流的镜像电流,所述运放的输出端连接所述主体电路的PMOS电流镜组的栅极,所述运放的第一输入端连接所述第一双极型晶体管、所述运放的第二输入端通过第一电阻连接所述第二双极型晶体管;所述启动电路包括一脉冲产生电路,所述脉冲产生电路的第一输入端连接使能信号,所述脉冲产生电路的第二输入端连接所述运放的输出端,所述脉冲产生电路的输出端连接到所述运放;所述脉冲产生电路在所述使能信号使能且所述第二输入端为高电平时在输出端输出一高电平脉冲信号,所述脉冲产生电路输出的高电平脉冲信号输入到所述运放并将所述运放的输出信号拉到地电位;所述脉冲产生电路在所述使能信号使能且所述第二输入端为低电平时在输出端输出一低电平信号,所述脉冲产生电路输出的低电平信号不作用于所述运放的输出端;所述脉冲产生电路在所述使能信号不使能时停止工作;带隙基准电路启动时所述使能信号使所述脉冲产生电路使能,所述主体电路的所述PMOS电流镜的栅极的高电平使所述脉冲产生电路输出一高电平脉冲信号,该电平脉冲信号使所述运放的输出信号拉到地电位并使所述主体电路的所述PMOS电流镜导通,所述主体电路的所述PMOS电流镜导通后将工作电流镜像到所述运放的偏置电路并为所述运放提供偏置电流,所述运放在所述偏置电流下产生稳定低电平输出,该低电平输出使所述脉冲产生电路输出低电平信号从而不作用于所述运放的输出端。
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