[发明专利]一种基板处理方法有效
| 申请号： | 201410461498.1 | 申请日： | 2014-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN105405742B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 王士敏;郭志勇;朱泽力;陈雄达;李绍宗 | 申请（专利权）人： | 深圳莱宝高科技股份有限公司;重庆莱宝科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基板处理方法，其至少包括以下步骤：提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位，制成所述基板的材料中至少含有第一碱离子；对所述基板的加工部位进行数控加工处理，所述数控加工处理至少包括对所述加工部位喷射一种冷却液以进行冷却处理的步骤，所述冷却液中至少含有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径所述第一碱离子的离子半径。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理方法，其特征在于，其至少包括以下步骤：提供至少一基板，所述基板至少具有一加工部位，制成所述基板的材料中至少含有第一碱离子；对所述基板的加工部位进行数控加工处理，所述数控加工处理至少包括对所述加工部位喷射一种冷却液以进行冷却处理的步骤，所述冷却液中至少含有第二碱离子，所述第二碱离子的离子半径大于所述第一碱离子的离子半径。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
