[发明专利]一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法

摘要

本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器及其制备方法，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Al_x1Ga_1-x1N缓冲层、n型Al_x2Ga_1-x2N层、非掺杂i型Al_x3Ga_1-x3N吸收层、n型Al_x4In_y1Ga_1-x4-y1N/Al_x5In_y2Ga_1-x5-y2N超晶格分离层、非掺杂i型Al_x6Ga_1-x6N倍增层、p型Al_x7Ga_1-x7N层和p型GaN层，在n型Al_x2Ga_1-x2N层上引出n型欧姆电极，在p型GaN层上引出p型欧姆电极。本发明采用多周期n型Al_x4In_y1Ga_1-x4-y1N/Al_x5In_y2Ga_1-x5-y2N超晶格作为分离层将吸收层与倍增层分离的结构，能够有效增加倍增层中的电场，在高电场作用下可以产生均匀的雪崩倍增，有助于提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子。

主权项

一种铝镓氮基日盲紫外探测器，其特征在于：包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底(101)、AlN成核层(102)、Al_x1Ga_1‑x1N缓冲层(103)、n型Al_x2Ga_1‑x2N层(104)、非掺杂i型Al_x3Ga_1‑x3N吸收层(105)、n型Al_x4In_y1Ga_1‑x4‑y1N/Al_x5In_y2Ga_1‑x5‑y2N超晶格分离层(106)、非掺杂i型Al_x6Ga_1‑x6N倍增层(107)、p型Al_x7Ga_1‑x7N层(108)和p型GaN层(109)，在n型Al_x2Ga_1‑x2N层(104)上引出n型欧姆电极(110)，在p型GaN层(109)上引出p型欧姆电极(111)。