[发明专利]发光二极管晶粒及其制造方法有效
申请号: | 201410463095.0 | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN105405946B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 邱镜学;林雅雯;凃博闵;黄世晟 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/26 | 分类号: | H01L33/26;H01L33/00 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 谢志为 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 一种发光二极管晶粒,包括:第一半导体层;形成在第一半导体层上的第一发光层,所述第一发光层发出第一种颜色光;形成在第一发光层上的第二发光层,所述第二发光层发出与第一种颜色光不同的第二种颜色光;及形成在第二发光层上的第二半导体层。在本发明的发光二极管晶粒中,第一发光层及形成在第一发光层上的第二发光层形成在同一发光二极管晶粒中,第一发光层发出的第一种颜色光与第二发光层发出的第二种颜色光能够充分混合形成与第一、二种颜色光不同的另一种颜色光,发光二极管晶粒的演色性及混色性较佳,且成本较低。本发明还设计上述发光二极管晶粒的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 晶粒 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管晶粒的制造方法,包括以下步骤:提供一基板;在所述基板上形成一第一半导体层;在所述第一半导体层上形成一第一发光层,所述第一发光层发出第一种颜色光;蚀刻部分该第一半导体层及该第一发光层,从而形成多个柱体;在所述第一发光层上形成一第二发光层,所述第二发光层包括多个第二发光层单体,每个第二发光层单体对应包覆一柱体,所述第二发光层发出与第一种颜色不同的第二种颜色光;以及在该第二发光层上形成一第二半导体层。
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