[发明专利]半导体器件和用于制造半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410463296.0 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104465513B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | A.鲍尔;R.黑斯;G.莱希克;F.马里亚尼 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,胡莉莉 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件和用于制造半导体器件的方法。一种方法包括提供包括多个半导体芯片的半导体晶片；形成所述半导体晶片的正面上的第一划线，其中，所述第一划线具有第一宽度并分离所述半导体晶片的半导体芯片；形成所述半导体晶片的正面上的第二划线，其中，所述第二划线具有第二宽度并分离所述半导体晶片的半导体芯片，其中，所述第一划线和所述第二划线在比所述第一宽度和所述第二宽度的乘积大的交叉区域中相交；以及在所述交叉区域中对所述半导体晶片进行等离子体蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种分离半导体芯片的方法，包括：提供包括多个半导体芯片的半导体晶片；形成所述半导体晶片的正面上的第一划线，其中，所述第一划线具有第一宽度并分离所述半导体晶片的半导体芯片；形成所述半导体晶片的正面上的第二划线，其中，所述第二划线具有第二宽度并分离所述半导体晶片的半导体芯片，其中，所述第一划线和所述第二划线在比所述第一宽度和所述第二宽度的乘积大的交叉区域中相交；在所述交叉区域中以及在所述交叉区域之外的所述第一划线和所述第二划线中对所述半导体晶片进行等离子体蚀刻，其中对所述半导体晶片进行等离子体蚀刻包括在所述半导体晶片中形成沟槽，其中，所述沟槽的底部和所述沟槽的侧壁形成小于70°的角度，以及将半导体芯片与所述半导体晶片分离，其中所述半导体芯片的正面的轮廓包括斜角和/或圆角，其中所述半导体芯片包括背面和侧表面，所述侧表面沿着所述正面的整个轮廓从所述正面延伸到所述背面，其中所述半导体晶片的所述沟槽的侧壁变成所述半导体芯片的侧表面，其中整个侧表面被等离子体蚀刻，并且其中所述半导体芯片的所述背面被暴露。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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