[发明专利]一种具有双核铜簇的配位聚合物及其制备方法无效
| 申请号： | 201410464028.0 | 申请日： | 2014-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN104262254A | 公开（公告）日： | 2015-01-07 |
| 发明（设计）人： | 刘国政;段达 | 申请（专利权）人： | 刘国政 |
| 主分类号： | C07D231/12 | 分类号： | C07D231/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518104 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及无机化学领域，具体涉及一种具有双核铜簇结构的配位聚合物及其制备方法。一种具有双核铜簇结构的配位聚合物，化学式为C20H28N5OCu2I2，所述具有双核铜簇的配位聚合物为三斜晶系，P-1空间群，晶胞参数为a=11.1999(6)Å，b=11.4916(9)Å，c=12.5966(7)Å，α=81.963(5)º，β=70.509(5)º，γ=83.981(5)º,V=1510.38Å3。本发明的配位聚合物易于制备，化学稳定性好，在催化、气体分离、分子识别、分子发光等领域有非常好的潜在的应用前景。而且合成该配位聚合物采用的溶剂热法有利于生长极少缺陷、取向好、完美的晶体，且制备方法简单，无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 双核铜簇 配位聚合 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有双核铜簇的配位聚合物，其特征在于：C20H28N5OCu2I2。
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