[发明专利]一种在分离膜表面构造两性离子结构的方法及分离膜有效
| 申请号： | 201410464468.6 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN104226128A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 张林;秦嘉旭;侯立安 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | B01D71/56 | 分类号： | B01D71/56;B01D67/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在分离膜表面构造两性离子结构的方法，包括：(1)将分离膜浸没在含有荷正电物质的溶液中，荷正电物质与分离膜表面活性基团发生反应，实现荷正电物质在分离膜表面上的接枝；(2)清洗表面接枝上荷正电物质的分离膜，并将分离膜浸没在含有荷负电物质的溶液中，荷负电物质与分离膜表面上的荷正电物质之间发生迈克尔加成反应，接枝到分离膜表面，得到两性离子改性分离膜。本发明还公开了一种由上述方法制备得到的改性膜。本发明的在分离膜表面构造两性离子结构的方法，采用常温常压下进行，只需将分离膜以此浸没在荷正电物质溶液和荷负电物质溶液中，反应条件温和，步骤简单，易于工业化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 分离 表面 构造 两性 离子 结构 方法 | ||
【主权项】：
一种在分离膜表面构造两性离子结构的方法，包括：(1)将分离膜浸没在含有荷正电物质的溶液中，荷正电物质与分离膜表面活性基团发生反应，实现荷正电物质在分离膜表面上的接枝；(2)清洗表面接枝上荷正电物质的分离膜，并将分离膜浸没在含有荷负电物质的溶液中，荷负电物质与分离膜表面上的荷正电物质之间发生迈克尔加成反应，接枝到分离膜表面，得到两性离子改性分离膜；所述荷负电物质中含有至少一个酸性基团以及至少一个适于迈克尔加成反应的双键共轭体系；所述荷正电物质中含有：至少一个能与分离膜表面活性基团反应的连接基团A；至少一个能与荷负电物质发生迈克尔加成反应的亲核基团B；至少一个与荷负电物质中酸性基团电荷相抵的正电基团C或者该正电基团C来自于反应后的亲核基团B。
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