[发明专利]用于制造半导体器件的方法在审

专利信息
申请号: 201410465189.1 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN104465514A 公开(公告)日: 2015-03-25
发明(设计)人: 中川和之;阿部俊一 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: H01L21/78 分类号: H01L21/78;B23K26/00;B23K26/38
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 秦晨
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明涉及用于制造半导体器件的方法,提供了具有提高的可靠性的半导体器件。根据一种实施例的用于制造半导体器件的方法包括沿着划片区的延伸方向在布置于彼此相邻的两个芯片区之间的划片区内切割晶片的步骤。划片区在其内具有在多个列中的多个金属图形。在切割晶片的步骤中,形成于多个列内的一个或多个金属图形列被去除,并且与上述一个或多个列不同的列的金属图形没有被去除。
搜索关键词: 用于 制造 半导体器件 方法
【主权项】:
一种制造半导体器件的方法,包括以下步骤:(a)提供半导体晶片,所述半导体晶片具有第一芯片区、在平面图中相邻于所述第一芯片区布置的第二芯片区、在平面图中布置于所述第一芯片区与所述第二芯片区之间的划片区、以及在所述划片区内布置成多个列的且沿着所述划片区的延伸方向布置的多个金属图形;以及(b)在所述半导体晶片的所述划片区中沿着所述划片区的所述延伸方向切割所述半导体晶片,其中所述金属图形具有布置于与所述第一芯片区最接近的列内的第一列图形以及布置于与所述第一芯片区的距离较所述第一列图形远的列内的第二列图形,其中所述第一芯片区与所述第一列图形之间的距离小于所述第一列图形与所述第二列图形之间的距离,并且小于所述第二芯片区与所述第二列图形之间的距离,并且其中在所述步骤(b)中,所述第一列图形没有被去除,但是所述第二列图形被去除。
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