[发明专利]一种快闪存储器及其控制方法有效
申请号: | 201410465841.X | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN105469826B | 公开(公告)日: | 2019-09-17 |
发明(设计)人: | 杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C16/24 | 分类号: | G11C16/24;G11C16/06 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种快闪存储器及其控制方法,该快闪存储器包括一大扇区存储阵列及一小扇区存储阵列,该大扇区存储阵列和该小扇区存储阵列集成至同一存储阵列,该大扇区存储阵列包含列方向的N条位线、行方向的M条字线以及一条源线,该小扇区存储阵列列方向包含N条位线,从列方向将行方向的字线和源线分为n组,每组包含M/n条字线WL以及一条源线SL,行译码及电平位移电路通过字线驱动电路连接该M条字线,n个源上拉驱动电路分别通过该n条源线连接各组的存储单元,本发明通过去除小扇区源线下拉单元,使得在不浪费面积的情况下,实现位线对齐,小扇区的电流通过闲置的位线回流至地。 | ||
搜索关键词: | 一种 闪存 及其 控制 方法 | ||
【主权项】:
1.一种快闪存储器,包括一大扇区存储阵列及一小扇区存储阵列,该大扇区存储阵列和该小扇区存储阵列集成至同一存储阵列,该大扇区存储阵列包含列方向的N条位线、行方向的M条字线以及一条源线,其特征在于:该小扇区存储阵列列方向包含N条位线,从列方向将行方向的字线和源线分为n组,每组包含M/n条字线WL以及一条源线SL,行译码及电平位移电路通过字线驱动电路连接该M条字线,n个源上拉驱动电路分别通过该n条源线连接各组的存储单元,去除源线下拉驱动电路,使得每组源线能够分别使用对应的所述源线上拉驱动电路驱动;其中,该源上拉驱动电路包括一个PMOS管和一个NMOS管,控制信号SEL连接该PMOS管和NMOS管的栅极,该PMOS管源极接高压,该NMOS管源极接地,该PMOS管和NMOS管的漏极为源线;当对该小扇区存储阵列进行读操作时,设置各控制线电压,以选中一被选存储单元a,并选择使本行处于擦除状态的闲置单元处于导通状态,该被选存储单元a所储存信息形成的电流由位线经该被选存储单元a漏极进入该被选存储单元a的源极,然后经源线进入该闲置单元的源极、漏极及其位线,最终经列译码电路回流至地。
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