[发明专利]提高电感器Q值的方法以及电感器有效
| 申请号： | 201410465851.3 | 申请日： | 2014-09-12 |
| 公开（公告）号： | CN105405836B | 公开（公告）日： | 2019-04-19 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种提高电感器Q值的方法以及电感器。首先，提供高阻硅衬底，其中所述高阻硅暴露出将要形成电感器的硅片区域的衬底表面。然后，对衬底执行高密度等离子体化学气相淀积工艺以在衬底表面上形成层间绝缘层。其中，在高密度等离子体化学气相淀积工艺中，利用HDP需要利用离子轰击对衬底加热的这一特性,在漏出衬底表面将要形成电感器的硅片区域表面形成陷阱，并且随后在形成有陷阱的衬底表面上通过生长一层高密度等离子体来生长一个层间绝缘层。最后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 电感器 方法 以及 | ||
【主权项】：
1.一种提高电感器Q值的方法，其特征在于包括：首先，提供高阻硅衬底，其中所述高阻硅暴露出将要形成电感器的硅片区域的衬底表面；然后，对衬底执行高密度等离子体(HDP，High Dens ity Plasma)化学气相淀积工艺以在衬底表面上形成层间绝缘层；其中，在高密度等离子体化学气相淀积工艺中，利用HDP需要利用离子轰击对衬底加热的这一特性,在漏出衬底表面将要形成电感器的硅片区域表面形成陷阱，并且随后在形成有陷阱的衬底表面上通过生长一层高密度等离子体来生长一个层间绝缘层；最后，在层间绝缘层层上淀积金属层，并形成金属层的图案从而制作电感器。
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