[发明专利]一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构有效
申请号: | 201410466035.4 | 申请日: | 2014-09-11 |
公开(公告)号: | CN105405787B | 公开(公告)日: | 2018-02-06 |
发明(设计)人: | 尹硕 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司21002 | 代理人: | 何丽英 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及半导体生产设备,具体地说是一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构。包括热盘盘盖、盘体密封、密封波纹管、热盘下盘体及热盘上盘体,其中盘体密封的顶部与底部为敞开式,所述热盘上盘体和热盘下盘体设置于盘体密封内,热盘下盘体为圆环结构,盘体密封上设有盘体吸真空管路接口、并底部与热盘上盘体密封连接,密封波纹管的上端与盘体密封的底部连接、并端部与热盘上盘体的底部密封连接,密封波纹管的下端设有波纹管密封盖,热盘盘盖密封连接于盘体密封的顶部,热盘盘盖上设有工艺气体入口,热盘盘盖、盘体密封、热盘上盘体及密封波纹管形成密封腔室,热盘上盘体上设有将热盘上盘体两侧腔室连通的通孔。本发明密封方式对装配精度要求较低,可能存在泄漏真空的位置点相对较少且容易形成真空腔室。 | ||
搜索关键词: | 一种 能够 形成 密闭 半导体 盘结 | ||
【主权项】:
一种能够形成密闭腔室的半导体热盘结构,其特征在于:包括热盘盘盖(1)、盘体密封(2)、密封波纹管(3)、热盘下盘体(4)及热盘上盘体(6),其中盘体密封(2)的顶部与底部为敞开式,所述热盘上盘体(6)和热盘下盘体(4)由上至下依次设置于盘体密封(2)内,所述热盘下盘体(4)为圆环结构,所述盘体密封(2)上设有盘体吸真空管路接口(5)、并底部与热盘上盘体(6)密封连接,所述密封波纹管(3)的上端与盘体密封(2)的底部连接、并端部穿过热盘下盘体(4)的中心孔与热盘上盘体(6)的底部密封连接,所述密封波纹管(3)的下端设有波纹管密封盖,所述热盘盘盖(1)密封连接于盘体密封(2)的顶部,热盘盘盖(1)上设有工艺气体入口(11),所述热盘盘盖(1)、盘体密封(2)、热盘上盘体(6)及密封波纹管(3)形成密封腔室,所述热盘上盘体(6)上设有将热盘上盘体(6)两侧腔室连通的通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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