[发明专利]影像传感器层间介质层沟槽及影像传感器的形成方法有效
申请号: | 201410466047.7 | 申请日: | 2014-09-12 |
公开(公告)号: | CN105470271B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 令海阳 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/311 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 郑玮 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种影像传感器层间介质层沟槽及影像传感器的形成方法,采用一次刻蚀,借助两个侧边挡光层的刻蚀遮挡作用,在倒数第二层层间介质层内形成远离边缘区域的第二沟槽,一次刻蚀仅需要一种光罩,无需再进行第二次刻蚀形成第二沟槽,因此无需使用额外的光罩,节约了生产成本。进一步的,后续在第二沟槽内安装透光镜,再在第一沟槽内形成透光的封装材料,由于封装材料的厚度可控,从而可以减少中心区域和边缘区域的厚度差,消除边框效应,提高形成的影像传感器的性能。 | ||
搜索关键词: | 影像 传感器 介质 沟槽 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种影像传感器层间介质层沟槽的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供器件,所述器件分为中心区域和边缘区域,所述器件设有后段连线层,所述后段连线层设有多层层间介质层,在倒数第二层层间介质层内设有两个侧边挡光层,所述侧边挡光层分别设于所述影像传感器中心区域内并靠近边缘区域处;刻蚀所述中心区域的顶层层间介质层和倒数第二层层间介质层,在所述顶层层间介质层内形成第一沟槽,借助所述侧边挡光层对刻蚀的阻挡,在所述倒数第二层层间介质层内形成第二沟槽,形成的所述第二沟槽与边缘区域保持预定距离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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