[发明专利]影像传感器层间介质层沟槽及影像传感器的形成方法有效

专利信息
申请号: 201410466047.7 申请日: 2014-09-12
公开(公告)号: CN105470271B 公开(公告)日: 2018-07-20
发明(设计)人: 令海阳 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/311
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 郑玮
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提出了一种影像传感器层间介质层沟槽及影像传感器的形成方法,采用一次刻蚀,借助两个侧边挡光层的刻蚀遮挡作用,在倒数第二层层间介质层内形成远离边缘区域的第二沟槽,一次刻蚀仅需要一种光罩,无需再进行第二次刻蚀形成第二沟槽,因此无需使用额外的光罩,节约了生产成本。进一步的,后续在第二沟槽内安装透光镜,再在第一沟槽内形成透光的封装材料,由于封装材料的厚度可控,从而可以减少中心区域和边缘区域的厚度差,消除边框效应,提高形成的影像传感器的性能。
搜索关键词: 影像 传感器 介质 沟槽 形成 方法
【主权项】:
1.一种影像传感器层间介质层沟槽的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供器件,所述器件分为中心区域和边缘区域,所述器件设有后段连线层,所述后段连线层设有多层层间介质层,在倒数第二层层间介质层内设有两个侧边挡光层,所述侧边挡光层分别设于所述影像传感器中心区域内并靠近边缘区域处;刻蚀所述中心区域的顶层层间介质层和倒数第二层层间介质层,在所述顶层层间介质层内形成第一沟槽,借助所述侧边挡光层对刻蚀的阻挡,在所述倒数第二层层间介质层内形成第二沟槽,形成的所述第二沟槽与边缘区域保持预定距离。
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