[发明专利]嵌入式闪存的结构及嵌入式闪存的制造方法

摘要

本发明提出了一种嵌入式闪存结构及嵌入式闪存的制造方法，在多晶硅器件区域形成由浅槽隔离结构隔离开的多个有源区和多个虚拟有源区，通过定义多晶硅器件区域的浅沟槽隔离光罩，使图案化浅沟槽隔离光阻形成在虚拟有源区和一部分浅槽隔离结构的上方，暴露出有源区和另一部分浅槽隔离结构，在进行离子注入时，为了不影响闪存器件的性能，通常离子注入的角度均被固定，通过调节有源区、虚拟有源区、浅沟槽隔离结构及图案化浅沟槽隔离光阻的线宽和图案化浅沟槽隔离光阻之间的间距避免离子对有源区造成二次重复注入，在不影响闪存器件的前提下，保证了MPOL器件的性能，同时能够节省形成WLSP1时的光罩，降低生产成本。

主权项

1.一种嵌入式闪存的结构，其特征在于，包括：多晶硅器件区域和嵌入式闪存剩余区域，所述嵌入式闪存剩余区域为所述嵌入式闪存除所述多晶硅器件区域以外的区域；所述多晶硅器件区域包括基底和形成在所述基底上的多个有源区和多个虚拟有源区，所述有源区和虚拟有源区之间均由浅沟槽隔离结构隔离开，所述虚拟有源区和一部分浅槽隔离结构位于图案化浅沟槽隔离光阻的下方，所述图案化浅沟槽隔离光阻暴露出所述有源区和另一部分浅槽隔离结构，所述图案化浅沟槽隔离光阻是通过定义所述多晶硅器件区域的浅沟槽隔离光罩形成的；其中，所述有源区、虚拟有源区、浅沟槽隔离结构及图案化浅沟槽隔离光阻均具有预定线宽，所述图案化浅沟槽隔离光阻之间保持预定间距，以在对所述有源区执行离子注入时，使固定角度的离子注入离所述有源区靠近所述图案化浅沟槽隔离光阻一侧的最近距离大于等于所述有源区的线宽。