[发明专利]高压硅堆管芯化学处理装置在审
申请号: | 201410467755.2 | 申请日: | 2014-09-15 |
公开(公告)号: | CN104347456A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 倪绍荣 | 申请(专利权)人: | 南通皋鑫电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 孙民兴 |
地址: | 226502 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了电子元器件制造领域的高压二极管硅块台面腐蚀化学处理装置,一种高压硅堆管芯化学处理装置。包括混合酸槽、第一水洗槽、硝酸槽、第二水洗槽、氢氟酸槽、第三水洗槽和机械手摆臂,各化学处理槽体顺序排列,机械手摆臂位于槽体上方,机械手摆臂安装在槽体上方的滑轨上,其特征在于:机械手摆臂上设有气动升降机构,机械手摆臂在气动装置控制下上下运动,装有硅块模的托架悬挂在机械手摆臂上,装有硅块模的托架依次浸入各化学处理槽体。本发明具有提高效率、节能减排和降低设备故障率等优点。 | ||
搜索关键词: | 高压 管芯 化学 处理 装置 | ||
【主权项】:
一种高压硅堆管芯化学处理装置,包括混合酸槽、第一水洗槽、硝酸槽、第二水洗槽、氢氟酸槽、第三水洗槽和机械手摆臂,各化学处理槽体顺序排列,机械手摆臂位于槽体上方,机械手摆臂安装在槽体上方的滑轨上,其特征在于:机械手摆臂上设有气动升降机构,机械手摆臂在气动装置控制下上下运动,装有硅块模的托架悬挂在机械手摆臂上,装有硅块模的托架依次浸入各化学处理槽体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于南通皋鑫电子股份有限公司,未经南通皋鑫电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410467755.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:深空天线组阵频域解时延模糊的方法
- 下一篇:光纤与电力载波点对点系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造