[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201410468894.7 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN104517819B | 公开（公告）日： | 2017-10-31 |
| 发明（设计）人： | 山本哲夫;盛满和广;丰田一行;大野健治;高崎唯史;广濑育男;佐佐木隆史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,王大方 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在使用了缓冲空间的单片式装置中，也能够抑制缓冲空间的副产物发生。为解决上述课题，提供一种半导体器件的制造方法，具有将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 处理 装置 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理衬底的处理室；具有缓冲室的喷头；对所述缓冲室内的环境气体进行排气的第一排气系统；通过所述缓冲室向所述衬底供给含第一元素气体的含第一元素气体供给系统；通过所述缓冲室向所述衬底供给含第二元素气体的含第二元素气体供给系统；对所述处理室的环境气体进行排气的第二排气系统；和控制部，所述控制部以进行如下工序的方式进行控制：将衬底送入处理室的工序；通过喷头的缓冲室将含第一元素气体供给到载置在所述处理室内的衬底的含第一元素气体供给工序；通过所述缓冲室将含第二元素气体供给到所述衬底的含第二元素气体供给工序；和在所述含第一元素气体供给工序和含第二元素气体供给工序之间进行的排气工序，所述排气工序具有：所述第一排气系统对所述缓冲室内的环境气体进行排气的缓冲室排气工序；和在所述缓冲室排气工序之后，所述第二排气系统对所述处理室内的环境气体进行排气的处理室排气工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
