[发明专利]静电离子阱在审
| 申请号： | 201410469113.6 | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN104362069A | 公开（公告）日： | 2015-02-18 |
| 发明（设计）人： | 艾勒赛·维多罗维奇·艾玛寇夫;芭芭拉·珍·辛区 | 申请（专利权）人： | MKS仪器公司 |
| 主分类号： | H01J49/00 | 分类号： | H01J49/00;H01J49/02;H01J49/42 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 静电离子阱限制不和谐电位井内不同质量对电荷比值及动能的离子。该离子阱也有小振幅AC(alternating current，交流电)驱动器，其以激发受限离子。由于该AC驱动频率及该些离子的自然振荡频率之间的自动共振，该隶属于限制离子振荡幅度的质量随着该增加的能量而增加，直到该些离子的振荡幅度超过该阱的实体尺寸，或该些离子分裂或经历任何其它物理或化学变化为止。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 离子 | ||
【主权项】：
一种离子阱，包含：电极结构，其产生静电电位，该静电电位在轴向及径向两者上将离子限制在自然振荡频率的轨道，该轴向限制电位为不和谐；以及交流电激发源，具有激发频率并连接至该电极结构中的至少一电极；以及扫瞄控制，其减少在该交流电激发频率及该离子的自然振荡频率间的频率差以达到自动共振。
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