[发明专利]半导体器件和用于形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201410469610.6 | 申请日： | 2014-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN104465766B | 公开（公告）日： | 2017-09-29 |
| 发明（设计）人： | H-J·舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括半导体衬底。半导体衬底包括被布置在半导体衬底的主表面处的第一掺杂区域、被布置在半导体衬底的后侧表面处的发射极层、通过半导体衬底的第二掺杂区域与第一掺杂区域分离的至少一个第一传导类型区以及至少一个温度稳定电阻区。第一掺杂区域具有第一传导类型并且发射极层至少主要具有第二传导类型。第二掺杂区域具有第二传导类型并且至少一个第一传导类型区具有第一传导类型。至少一个温度稳定电阻区被定位在第二掺杂区域内并且邻近至少一个第一传导类型区。进一步地，至少一个温度稳定电阻区具有比被定位成邻近至少一个温度稳定电阻区的第二掺杂区域的至少一部分在半导体器件的操作温度的范围区间更低的电阻变化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 用于 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种具有半导体衬底的半导体器件，其中所述半导体衬底包括：被布置在所述半导体衬底的主表面处的第一掺杂区域，其中所述第一掺杂区域包括第一传导类型；被布置在所述半导体衬底的后侧表面处的发射极层，其中所述发射极层至少主要包括第二传导类型；通过所述半导体衬底的第二掺杂区域与所述第一掺杂区域分离的至少一个第一传导类型区，其中所述第二掺杂区域包括所述第二传导类型并且所述至少一个第一传导类型区包括所述第一传导类型；以及被定位在所述第二掺杂区域内并且邻近所述至少一个第一传导类型区的至少一个温度稳定电阻区，其中所述至少一个温度稳定电阻区包括比所述第二掺杂区域的被定位成邻近所述至少一个温度稳定电阻区的至少一部分在所述半导体器件的操作温度的范围区间更低的电阻变化，其中所述至少一个温度稳定电阻区包括导致如下能态的掺杂，该能态距离所述半导体衬底的半导体材料的导带和价带多于150meV。
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